ENI1220 IPM 測(cè)試系統(tǒng)
系統(tǒng)概述 基礎(chǔ)配置
該系統(tǒng)是測(cè)試IPM的測(cè)試設(shè)備，輸出電壓3000v.電流3000A,
系統(tǒng)通過(guò)外接數(shù)字溫度計(jì)來(lái)觀察vf的特征在通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)溫度和測(cè)量溫度下的溫度特征。 電壓 電流
標(biāo)配 選配 標(biāo)配 選配
1200V 1000V 200A 200A
2200V 400A
3300V 600A
4500V 1000A
6000V 2000A
配置/短路測(cè)試
電壓 電流 短路測(cè)試
標(biāo)配 選配 標(biāo)配 選配 項(xiàng)目 范圍 誤差 分辨率
1200V 2200V 200A 400A VPN 100V～1200V ±3% 10V
3300V 600A 測(cè)試電流 10A～75A ±3% 1A
4500V 1000A 短路電流 100A～500A ±3% 1A
6000V 2000A 短路時(shí)間 1 uS～10uS 可調(diào) 可調(diào)
測(cè)試功能
測(cè)試范圍 測(cè)試參數(shù)
IPM BVCES, BVRRM, BVSCES, ICES, IRRM, VCE(SAT), VEC, VFBR, VDSET, VDSET-HP, ID,
UVt, UVr, OUVt, OUVr, VCIN(ON), VCIN(OFF),
ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L), VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN,
OTc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, OVt, T_MEAS, V_MEAS
IGBT ICES, BVCES, IGES, VF, VGEON, VTH, VTHS, ICE(SAT), VCE(SAT)
DIODE VF-Temp, Temp, VF revision
參數(shù) / 精度
靜態(tài)參數(shù) 動(dòng)態(tài)參數(shù)
上橋IGBT/FRD漏電流測(cè)試(Ices-H) 上
橋
開(kāi)
關(guān)
參
數(shù) 集電極電壓Vce：
100～1200V， 誤差±3%,分辨率10V
上橋IGBT/FRD耐壓測(cè)試(Bvce-H)
上橋驅(qū)動(dòng)IC低端靜態(tài)電流測(cè)試(IDH) 集電極電流Ice：
10～75A， 誤差±3%,分辨率1A
上橋驅(qū)動(dòng)IC高端靜態(tài)工作電流測(cè)試
（Iqbs-U,V,W）
VD=VBS=15V, 誤差±3%,分辨率0.1V
上橋欠壓保護(hù)監(jiān)測(cè)電平 （UVbsd-U V W） VIN=0～5V 誤差±3%,分辨率0.1V
上橋欠壓保護(hù)復(fù)位電平（UVbsr-U V W） ton-L : 10～500nS, 誤差±3%,分辨率1nS
上橋驅(qū)動(dòng)IC導(dǎo)通閾值電壓測(cè)試
（Vth（on）-UH VH WH） tc（on）-L :5～200ｎS, 誤差±3%,分辨率1nS
toff-L: 50～500ｎS, 誤差±3%,分辨率1nS
上橋驅(qū)動(dòng)IC關(guān)斷閾值電壓測(cè)試
（Vth（off）-UH VH WH） tc(off)-L: 5～200ｎS, 誤差±3%,分辨率1nS
Trr-L :10～500ｎS, 誤差±3%,分辨率1nS
上橋IGBT飽和電壓測(cè)試（Vce(sat)-UH VH WH） Eon-L :0.1～10ｍＪ, 誤差±3%,分辨率0.1mJ
上橋FRD正向壓降測(cè)試（VF-(UH VH WH) Eoff-L： 0.1～10ｍＪ 誤差±3%,分辨率0.1mJ
下橋IGBT/FRD漏電流測(cè)試(I |
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